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雪崩能量測(cè)試臺(tái)功能指標(biāo):
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配置 |
測(cè)試范圍 |
測(cè)試參數(shù) |
條件 |
范圍 |
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電壓1000V |
IGBT 絕緣柵極雙極型晶體管 |
EAS/單脈沖雪崩能量 |
VCE |
20V~4500V |
20V~100V±3%±1V 100V~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V |
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電流200A |
MOSFETS MOS場(chǎng)效應(yīng)管 |
EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 |
IC |
1mA~200A |
1mA~100mA±3%±0.1mA 100mA~2A±3%±** 2A~200A±3%±50mA |
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DIODES 二極管 |
IAS/脈沖雪崩電流 PAS/單脈沖雪崩功率 |
Ea |
1J~2000J |
1J~100J±3%±1J 100J~500J±3%±5J 500J~2000J±3%±10J |
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IC(檢測(cè)） |
50mV/A(取決于傳感器） |
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感性負(fù)載 |
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH |
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重復(fù)間隙時(shí)間 |
1~60s可調(diào)（進(jìn)步is）重復(fù)次數(shù)：1~50次 |
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