四探針雙電電阻率測試儀電導率：5×10-6～1×108ms/cm
電位差計和電流計或數字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小
范圍本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。
干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點電流源注人條件會影響測試精度。 
恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.
GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要
標準電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標準電，精度0.05 級
樣品臺和操針架樣品臺和探針架應符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺上應具有旋轉 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1，
測量精度±（0.1%讀數）
250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。
電阻：1×10-5～2×105Ω
光照、高頻、需動、強電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影響測試結果，
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動測量并根據測試結果自動轉換量程，無需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動生成圖表和報表。

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

下列文件中的條款通過本標準的引用商成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的**版本。凡是不注日期的引用文件，其**版本適用于本標準。 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法
甲醇，99.5%。 干燥氮氣。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
適用范圍四端測試法是目前較**之測試方法，主要針對高精度要求之產品測試；本儀器廣泛用于生產企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具。
在中國標準分類中，四探針法涉及到半金屬與半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質、水文地質勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無損檢驗方法。
探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應符合 GB/T 552中的規(guī)定。
試劑氫氰酸，優(yōu)級純，純水，25 ℃時電阻率大于 2 MN·cm。 
電阻測量范圍：
國際標準分類中，四探針法涉及到半導體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫(yī)學、復合增強材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學、土質、土壤學、水質、電子顯示器件、有色金屬。
電源：220±10% 50HZ/60HZ 
測量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
測量誤差±5%
標配：測試平臺一套、主機一套、電源線數據線一套。
電流換向開關
主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm
電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會影響測試結果。
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內及國外客戶需求
使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測量兩內操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關的修正因子，計算出薄層電阻。
雙刀雙撐電位選擇開關。
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
顯示方式：液晶顯示
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
分辨率：  **小1μΩ
誤差：±0.2%讀數±2字
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產品及測試項目要求選購.
本標準適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量**度尚未評估。
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