隨著半導體技術的發展，對技術的要求越來越高，特別是半導體圓片的表面質量要求越來越嚴格，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質污染嚴重影響設備的質量和成品率，在現在的集成電路生產中，圓片表面污染問題，還有50%以上的材料損失。

在半導體生產過程中，幾乎每個過程都需要清洗，圓片清洗質量對設備性能有嚴重影響。正因為圓片清洗是半導體制造技術中**重要、**頻繁的步驟，其技術質量直接影響設備的成品率、性能和可靠性，國內外各大公司、研究機構等對清洗技術的研究不斷進行。等離子清洗作為一種的干式清洗技術，具有綠色環保等特點，隨著微電子行業的快速發展，等離子清洗機在半導體行業的應用也越來越多。

半導體污染雜質及分類。

半導體制造需要一些有機物和無機物參與完成。此外，由于工藝總是由人們參與凈化室，半導體圓片不可避免地會被各種雜質污染。根據污染物的來源、性質等，大致可分為粒子、有機物、金屬離子和氧化物4種。

顆粒。

粒子主要是聚合物、光刻膠、蝕刻雜質等。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面，影響設備雕刻工序幾何圖形的形成和電學參數。這種污染物的去除方法主要用物理或化學方法切割粒子，逐漸減少與圓表面的接觸面積，**終去除。

有機物。

有機物雜質的來源比較廣泛，如人的皮膚油脂、細菌、機械油、真空油、光刻膠、清洗溶劑等。這種污染物通常在圓形表面形成有機物薄膜，阻止清洗液到達圓形表面，圓形表面清洗不，清洗后金屬雜質等污染物仍保留在圓形表面。這種污染物的清除通常在清洗過程的**步進行，主要用硫酸和過氧化氫水等方法進行。

金屬。

半導體技術中常見的金屬雜質有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等，這些雜質的來源主要有各種器皿、配管、化學試劑、半導體圓片加工中，在形成金屬連接的同時，也產生了各種金屬污染。這種雜質的去除通常采用化學方法，通過各種試劑和化學藥品制成的清洗液和金屬離子反應，形成金屬離子的結合物，脫離圓片表面。

氧化物。

半導體圓片在含氧和水的環境下表面形成自然氧化層。該氧化膜不僅妨礙了半導體制造的許多步驟，還包括金屬雜質，在一定條件下轉移到圓片中形成電氣缺陷。該氧化膜的去除通常用稀氫氟酸浸泡。

等離子清洗機在半導體晶圓清洗技術中的應用等離子清洗技術簡單，操作方便，無廢棄物處理和環境污染等問題。但是，它不能去除碳和其他非揮發性金屬或金屬氧化物。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術，在等離子體反應系統中加入少量氧氣，在強電場的作用下，使氧氣產生等離子體，使光刻膠迅速氧化成揮發性氣體狀態物質。該清洗技術具有去膠技術操作方便、效率高、表面清潔、無損傷、有利于確保產品質量等優點，不使用酸、堿、有機溶劑等，越來越受到重視。